삼성전자가 5일 베트남 타이응우옌성 옌빈산업단지에 메모리 반도체 테스트팹 2곳을 순차적으로 짓기로 했다. 투자 규모는 베트남 동화 기준 105조7944억동, 우리 돈으로 약 5조4800억원이다.
1공장은 2027년 4분기부터, 2공장은 2028년 1분기부터 가동할 계획이다. 새 생산시설은 D램과 낸드플래시의 출하 전 검사(테스트) 공정을 맡는다. 기존 충남 천안캠퍼스가 담당하던 후공정 일부를 해외로 분산하는 전략이다.
고대역폭메모리는 국내에, 범용 제품은 해외로 나눈다
삼성전자는 고대역폭메모리(HBM) 생산은 국내에 집중하고 범용 D램·낸드플래시 후공정은 해외로 분산하는 방식으로 생산체계를 재편하고 있다. 인공지능(AI) 수요발 메모리 반도체 공급 부족에 대응해 테스트 공정 능력을 선제적으로 늘리려는 조치로 풀이된다. 삼성전자는 베트남 현지 엔지니어 100여명을 국내 천안·온양캠퍼스로 보내 메모리 테스트 실무 교육을 진행하고 있다.
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