삼성전자는 엔비디아가 설계한 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 'NVHBM'의 핵심 부품인 베이스다이를 경쟁사인 대만 TSMC의 3나노미터(㎚) 공정으로 제작하기로 했다고 18일 반도체 업계가 전했다. 엔비디아는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사에 NVHBM의 베이스다이는 TSMC 3나노 공정으로, 코어다이는 1c D램으로 만들어 달라고 요구했다. 삼성전자 DS부문은 내부 검토를 거쳐 이 요구를 받아들인 것으로 알려졌다.

경쟁사 공정으로 HBM 만드는 건 처음

삼성전자가 그래픽처리장치(GPU) 연결을 위한 패키징 호환 차원에서 TSMC와 협력한 적은 있지만, HBM 제조 단계에서 경쟁사 공정을 쓰는 것은 이번이 처음이다. 업계에서는 HBM 공급업체마다 제조 방식이 다르면 설계한 성능을 일관되게 구현하기 어렵다는 점이 엔비디아 요구의 배경으로 꼽힌다.

수율 격차가 TSMC 선택으로 이어져

NVHBM은 메모리 제어기를 베이스다이에 넣어 표준 HBM4E보다 대역폭을 최대 30% 넓히고 전력 소비를 15% 줄인 제품이다. 업계는 TSMC 3나노 공정의 수율을 90% 이상, 삼성 파운드리 2나노(SF2) 공정은 60%대로 보고 있다.

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