중국 메모리반도체 기업 창신메모리(CXMT)의 차오칸위 사장이 서버용 메모리 시장 선점을 위해 지난 9~10일 중국 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 셀 면적을 줄인 '4F²' 구조의 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리를 올해 연말까지 출시하겠다고 밝혔다.
차오 사장은 이 자리에서 "이들 첨단 기술을 결합한 차세대 DDR5 RDIMM 제품을 올해 연말에 선보일 예정"이라며 "회사는 설립 초기부터 4F² 연구에 착수했으며 공개된 관련 특허군은 300개를 넘는다"고 말했다. CXMT가 적용한 4F²는 현재 업계 주류인 6F² 구조보다 셀 면적을 줄여 집적도를 30~50% 높이는 차세대 D램 설계 방식으로, 수직 서라운드 게이트(VSG) 트랜지스터가 핵심이다.
삼성전자보다 2년 앞선 일정에 반도체주 출렁
업계에서는 삼성전자가 같은 구조를 2028년에야 서버용 메모리에 적용할 것으로 보고 있어, CXMT의 일정이 2년가량 앞선다는 평가가 나온다. 이 소식이 전해진 뒤 뉴욕증시에서 마이크론이 3.8%, 샌디스크가 5.9% 떨어지고 필라델피아반도체지수(SOX)는 2.7% 하락하는 등 메모리 관련주가 일제히 떨어졌다. SK하이닉스 미국예탁증서(ADR)도 4.0% 내렸다.
자료
