인텔 파운드리와 ASML이 차세대 노광장비인 하이 NA(High-NA) EUV로 처리한 누적 웨이퍼 수량이 100만장을 넘어섰다.

두 회사는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 'SPIE 포토마스크 테크놀로지+EUV 리소그래피' 콘퍼런스에서 이 같은 성과를 공개했다. 이 수치는 장비 인증과 시험, 연구개발(R&D), 실제 양산 등 전 단계를 합산한 것이다.

18A 팬서레이크 공정에 실제 적용

인텔은 차세대 PC용 프로세서 '코어 울트라 시리즈3'(코드명 팬서레이크)의 일부 공정에 하이 NA EUV를 투입했다. 팬서레이크는 인텔의 최신 미세공정인 18A로 생산된다. 하이 NA EUV를 적용한 일부 레이어 제품은 기존 개구율 0.33인 EUV 장비(NXE 플랫폼)로 만든 동일 레이어 제품과 동등하거나 더 나은 성능을 낸 것으로 나타났다. 정렬 정밀도(오버레이)와 처리량, 가동률도 인텔 파운드리가 목표한 수준을 충족했다.

크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "인텔 파운드리는 2024년 첫 상용 EXE 장비를 도입한 이후 업계의 하이 NA 도입을 이끌어온 핵심 리더 중 하나"라고 말했다. 나가 찬드라세카란 인텔 수석부사장 겸 파운드리 공동총괄은 "점점 복잡해지는 AI 제품을 만드는 기업들에게는 양산에 곧바로 투입할 수 있는 제조 혁신이 필요하다"고 밝혔다.

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