대만 TSMC와 네덜란드 ASML홀딩스는 8일 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 SPIE BACUS 콘퍼런스에서 반도체 하이-NA(High-NA) EUV 노광공정용 포토마스크를 기존 6인치에서 12인치로 전환하는 공동 이니셔티브를 발표했다. 두 회사는 2031년까지 파일럿 라인을 구축하고 2033년까지 양산 준비를 마친다는 목표를 제시했다.

TSMC는 2030년부터 하이-NA EUV 장비를 활용한 대량 생산을 시작할 계획이다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "하이-NA EUV 도입은 소자 미세화 로드맵에 따라 점진적으로 확대될 것으로 예상되며, 처음에는 현재의 6인치 마스크를 사용하다 이후 12인치 마스크로 뒷받침될 것"이라고 말했다.

C.C. 웨이 TSMC 회장 겸 CEO는 "업계가 함께 복잡한 문제를 해결할 때 어느 한 회사도 홀로 이룰 수 없는 가능성을 열게 된다"고 밝혔다. 12인치 마스크 전환은 팹 생산성을 높이고 반도체 제조 비용을 낮추는 동시에 스티칭 제약을 없애 업계 전반에 이익이 될 것으로 회사 측은 설명했다.

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