삼성전자가 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지(FMS) 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'과 'zNAND-O'의 목업을 업계 최초로 공개했다.
zHBM은 인공지능(AI) 가속기 위에 고대역폭메모리(HBM)를 수직으로 쌓는 구조로, 메모리와 가속기 사이 인터레이어에 고객 맞춤형 설계를 더할 수 있다. 삼성전자는 zHBM 기반 인터페이스 시스템이 8세대 HBM인 HBM5보다 성능은 최대 8배, 전력당 성능은 최대 3배 높고 열 저항은 절반 이하로 낮아진다고 밝혔다.
온디바이스 AI 최적화 낸드인 zNAND-O는 기존 V낸드의 수직 적층 기술에 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다. 삼성전자는 이와 함께 수직 적층 400단 이상인 10세대 V낸드 'V10 BV낸드'도 업계 최초로 공개했으며, HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM 등 AI 데이터센터용 메모리도 함께 전시했다.
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