삼성전자가 27일 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스다이(base die)에 자사 최선단 2나노 GAA(게이트올어라운드) 파운드리 공정을 적용한다고 밝혔다.
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 “HBM5 베이스 다이에는 GAA 구조의 2나노 공정을 적용하고, 더 높은 집적도의 TSV(실리콘관통전극) 기술을 구현할 계획”이라며 “HBM4E보다 50% 이상 높은 성능과 전력 효율을 확보하는 것이 목표”라고 말했다.
구 실장은 “HBM의 고대역폭·초고속 동작 요구가 계속 높아지면서, HBM4와 HBM4E의 베이스 다이는 기존의 메모리 공정 대신 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정을 도입하게 됐다”며 “HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 하기 때문에 베이스다이에 2나노 공정을 적용한다”고 설명했다. 그는 HBM4 베이스다이의 경우 “첫 샘플부터 성능과 수율 목표를 모두 달성했고, 약 3개월 만에 개발을 완료했다”고 덧붙였다.
삼성전자는 지난해 하반기 2나노 1세대 공정 양산을 시작한 데 이어 세계 최초로 GAA 기반 3나노 양산에 성공한 바 있다.
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