삼성전자가 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋에서 3차원(3D) 적층 기술을 앞세운 차세대 메모리 전략 '큐브(CUBE)'를 공개했다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀 상무는 이날 '3D 통합으로 AI 시대 구동하다'를 주제로 한 기조연설에서 이런 방침을 밝혔다.
큐브는 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth), 전력·열효율(Efficiency)의 앞 글자를 딴 전략이다. 최 상무는 "더 이상 인쇄회로기판(PCB) 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않으면서 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라고 말했다.
차세대 메모리 성능 목표치를 구체적으로 제시했다
삼성전자는 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 성능을 HBM4E 대비 2배로 높이고, 와트당 성능은 20% 개선하며 열저항은 20% 낮춘다는 목표를 밝혔다. AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 쌓는 zHBM은 HBM4E 대비 성능 8배, 와트당 성능 3배, 열저항 75~90% 감소를 목표로 잡았다. 낸드플래시 기반의 zNAND-O는 2028년부터 샘플 공급을 시작할 예정이라고 밝혔다.
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