삼성전자가 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 개막한 메모리반도체 전시회 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'과 'zNAND-O' 목업을 업계 최초로 공개했다. 행사는 6일까지 사흘간 이어진다.

zHBM은 인공지능(AI) 가속기 옆에 나란히 배치하던 기존 고대역폭메모리(HBM)와 달리 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓는 방식이다. 데이터 이동 거리를 줄여 zHBM 기반 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 성능이 최대 8배, 전력 대비 성능은 최대 3배 향상됐고 열 저항은 절반 이하로 줄었다고 삼성전자는 밝혔다.

400단 낸드도 함께 공개

삼성전자는 이날 수직 적층 400단 이상인 10세대 V낸드 'V10 BV-NAND'도 업계 최초로 선보였다. 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 초고적층을 구현했다. zNAND-O는 기존 V낸드 적층 기술에 실리콘관통전극(TSV)을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징한 솔루션이다.

행사 첫날 기조연설은 이진엽 삼성전자 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 맡았다. 삼성전자 관계자는 "차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 솔루션을 통해 반도체 기술 리더십을 강화해 나가겠다"고 말했다.

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